具有高电导率和载流子迁移率的晶态配位聚合物可能会为电子器件打开新的机会。然而，目前基于溶剂的合成方法阻碍了与微制造标准的兼容性。

近日，比利时-鲁汶大学Víctor Rubio-Giménez，Rob Ameloot展示了一种新的化学气相沉积（CVD）方法，通过CuO前驱层的固相−气相转化，制备了厚度可控的高质量、定向的Cu-BHT纳米薄膜。

文章要点

1）CVD方法能够实现低至1 μm的高保真特征图案化，而不会有蚀刻剂损坏Cu-BHT层的风险。

2）这种方法便于制造定义良好的微米霍尔棒器件，用于精确测量电导率参数。演示的沉积和图案化制造流程展示了气相方法的优势，并使金属−有机纳米薄膜与微电子设备的集成更加紧密。

参考文献

Víctor Rubio-Giménez, et al, Chemical Vapor Deposition and High-Resolution Patterning of a Highly Conductive Two-Dimensional Coordination Polymer Film, J. Am. Chem. Soc., 2022

DOI: 10.1021/jacs.2c09007

https://doi.org/10.1021/jacs.2c09007