二维(2D)半导体由于其优良的栅极静电性，在场效应晶体管(FET)的沟道长度调节方面具有很好的应用前景。然而，由于接触电阻的急剧增加和纳米级金属导电性的恶化，测量它们的接触长度仍然是一个巨大的挑战。

近日，清华大学张跃钢教授，Yang Wei使用单壁碳纳米管电极构建了一维半金属-2D半导体接触，可以将接触长度推到亚2 nm区域。

文章要点

1）这种1D-2D异质结比2D-2D异质结显示出更小的范德华能隙，而肖特基势垒高度可以通过栅势来有效地调节以实现欧姆接触。

2）提出了一种用于分析器件在短接触极限下的电势和电流分布的纵向传输线模型，并利用该模型提取了超短接触的一维接触电阻率，最低可达10−6 Ω·cm^-2。

3）进一步证明，具有栅极可调功函数的半金属纳米管可以与包括MoS₂、WS₂和WSe₂在内的各种二维半导体形成良好的接触。

一维半金属接触为未来纳米电子学的进一步小型化奠定了基础。

参考文献

Li, X., Wei, Y., Wang, Z. et al. One-dimensional semimetal contacts to two-dimensional semiconductors. Nat Commun 14, 111 (2023).

DOI：10.1038/s41467-022-35760-x

https://doi.org/10.1038/s41467-022-35760-x