半导体纳米晶体中光生激子的辐射复合产生光致发光（PL），而通过消除相互竞争的非辐射复合可以实现最大PL效率。其中两种主要的非辐射复合是俄歇复合和表面势阱辅助复合。近日，墨尔本大学Paul Mulvaney发现在将电化学空穴注入CdSe基核/壳纳米片（NPL）后，其光致发光（PL）显著增强。

本文要点：

1) 作者发现，中等的空穴掺杂密度使CdSe基核/壳纳米片PL强度增强超过50%，并伴随着PL光谱的变窄和蓝移，以及通过时间分辨的PL实验表明发光衰减较慢。NPL中这种空穴诱导的PL增强与空穴注入后CdSe基量子点的PL猝灭结果形成了鲜明对比。

2) 作者发现空穴注入消除了负三极管形成的表面势阱，从而阻断了非辐射俄歇过程。连续的光激发导致增强的PL强度降低到其初始水平，这表明光充电是导致PL发光损失的关键步骤，而调制电势可用于可逆地增强或猝灭PL，从而实现电光切换。

参考文献：

Arun Ashokan et.al Spectroelectrochemistry of CdSe/Cd_xZn_1–xS Nanoplatelets ACS Nano 2023

DOI: 10.1021/acsnano.2c09298

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c09298