目前大多数合成二维材料的方法通常无法与传统半导体工业（450 ℃）的后段制程兼容。

有鉴于此，湖南大学段曦东（Xidong Duan）、黎博（Bo Li）等报道一种具有普适性的BiOCl辅助化学气相沉积法，能够低温合成27种超薄的二维层状材料。

当BiOCl与金属粉末混合制备的方式生成挥发性中间体物种，能够在280-500 ℃制备超薄二维层状材料，这个温度比盐辅助化学气相沉积方法需要的温度低200~300 ℃。

本文要点

（1）

通过详细的表征、理论计算，说明这种低温处理方式促进二维材料的生长，氧抑制合成过程保证合成过程得到超薄二维层状结构。合成的二维层状材料具有高温CVD法合成的层状材料类似的电化学、磁性、光电性质，这种低温制备超薄二维层状材料的方法能够合成丰富的材料。

（2）

研究厚度为~15 nm的SnSe纳米片光电性能。在808 nm激光照射条件研究电流-电压关系，最高的响应达到205 A/W，比磁控溅射法或者机械剥离法制备的纳米SnSe材料性能更好。器件的响应时间为0.7 s，延迟时间为0.3 s，响应速率比以往报道的结果更快，说明制备的样品具有更低的缺陷浓度。

参考文献

Qin, B., Saeed, M.Z., Li, Q. et al. General low-temperature growth of two-dimensional nanosheets from layered and nonlayered materials. Nat Commun 14, 304 (2023)

DOI: 10.1038/s41467-023-35983-6

https://www.nature.com/articles/s41467-023-35983-6