由于缺乏修饰位点，因此将分散的单原子催化剂修饰在Si光阳极上进行光电化学制氧反应仍是个困难和挑战。

有鉴于此，首尔大学Ho Won Jang、蔚山科学技术院Soo-Hyun Kim、延世大学Jooho Moon等报道将Ir单原子位点修饰在Si光阳极，并且研究这种Ir单原子位点的光生载流子分离和转移性能。

本文要点

（1）

NiO/Ni薄膜作为一种高活性和高稳定性催化剂，能够通过局部调控电子结构的方式将Ir单原子修饰在晶格中，构筑的分散性单原子Ir位点通过抑制电荷的复合，能够非常有效的促进光生电荷转移，降低了电势决定步的能垒。

（2）

在1.23 V过电势，构筑的Ir SAs/NiO/Ni/ZrO₂/n-Si光阳极的光电性能达到27.7 mA cm^-2，稳定工作的时间达到130 h。这项工作为设计将单原子修饰在Si光电极提供方法，揭示了Ir单原子可能显著改善光生电荷动力学的前景。

参考文献

Sang Eon Jun, Youn-Hye Kim, Jaehyun Kim, Woo Seok Cheon, Sungkyun Choi, Jinwook Yang, Hoonkee Park, Hyungsoo Lee, Sun Hwa Park, Ki Chang Kwon, Jooho Moon, Soo-Hyun Kim & Ho Won Jang, Atomically dispersed iridium catalysts on silicon photoanode for efficient photoelectrochemical water splitting. Nat Commun 14, 609 (2023)

DOI: 10.1038/s41467-023-36335-0

https://www.nature.com/articles/s41467-023-36335-0