拓扑kagome金属AV₃Sb₅（A=K、Rb或Cs）近年来备受关注，这些相关电子态和AHE的电控制使人们能够解决它们自身的性质和起源，并发现新的量子现象。近日，来自RMIT皇家墨尔本理工大学的Lan Wang等人发现，电控质子嵌入对CsV₃Sb₅纳米器件中的量子现象具有显著影响，其主要通过在较薄的纳米片中诱导无序和在较厚的纳米片上诱导载流子密度调制。

文章要点：

1) 在无序的薄纳米薄片（<25 nm），该研究在T趋近于0的情况下实现了从超导体到“失效绝缘体”的量子相变，同时具有较大的饱和薄层电阻，较厚纳米片中的载流子密度调制使费米能级在电荷密度波（CDW）间隙中移动，并导致AHE的非本征跃迁；

2) 此外，根据第一原理计算，在具有有限Berry曲率的近平坦带中，由多种杂质引起的空穴的非本征斜散射将产生巨大的AHE，该工作揭示了一种独特的无序驱动玻色子超导体绝缘体跃迁（SIT），展现出了巨型AHE的全景，并揭示了其与AV₃Sb₅家族中非常规CDW的相关性。

参考资料：

Zheng, G., Tan, C., Chen, Z. et al. Electrically controlled superconductor-to-failed insulator transition and giant anomalous Hall effect in kagome metal CsV3Sb5 nanoflakes. Nat Commun 14, 678 (2023).

DOI: 10.1038/s41467-023-36208-6

https://doi.org/10.1038/s41467-023-36208-6