InP量子点(QDs)是QD显示应用的首选材料，已被用作具有高效率和高色纯度的QD发光二极管(QDLED)中的活性层。优化QDs的色纯度需要了解频谱展宽的机制。近日，麻省理工学院Moungi G. Bawendi等报道了使用光子相关傅立叶光谱，在293 K下提取平均单条 QD 线宽50 meV，发红光的 InP/ZnSe/ZnS QDs。
本文要点：
1）作者在4到293 K的温度下测量InP/ZnSe/ZnS单QD发射线形状，并使用改进的独立玻色子模型对光谱进行建模。作者发现非弹性声学声子散射和精细结构分裂是低温下最主要的展宽机制，而弹性声学声子散射的纯相移是高温下的主要展宽机制，而光学声子散射在所有温度下的贡献最小。
2）相反，对于 CdSe/CdS/ZnS QD，作者发现光学声子散射在高温下对线形的贡献更大，导致本质上比 InP/ZnSe/ZnS 更宽的单点线宽。
3）此外，作者在一个自洽模型中调和窄的低温线宽和宽的室温线宽，该模型能够为不同的材料类别实现线宽加宽的参数化。这可用于合理设计更窄光谱的材料。
该研究结果表明，发红光的 InP/ZnSe/ZnS QD 本质上比通常合成的 CdSe QD 具有更窄的线宽，表明这些材料可用于实现具有高色纯度的 QDLED。
David B. Berkinsky, et al. Narrow Intrinsic Line Widths and Electron–Phonon Coupling of InP Colloidal Quantum Dots. ACS Nano, 2023
DOI: 10.1021/acsnano.2c10237
