热辐射是材料最简单的光发射现象。Nishihara等人介绍了一维半导体和金属材料所具有热辐射性能。研究者观察到半导体单壁碳纳米管在1000—2000 K时的窄带近红外辐射，确认了超窄带辐射是由类似于氢的由相互束缚的电子和空穴组成的激子产生的热导致的。这一发现揭示了在一维半导体中的量子关联，也为高效的光伏能源利用提供了了科学指导。

Nishihara, T., Takakura, A. et al. Ultra-narrow-band near-infrared thermal exciton radiation in intrinsic one-dimensional semiconductors.

Nature Communications

DOI: 10.1038/s41467-018-05598-3

https://www.nature.com/articles/s41467-018-05598-3