电子束光刻使用加速电子束在电子束敏感抗蚀剂上制作图案，但需要复杂的干法蚀刻或剥离工艺将图案转移到基板或基板上的薄膜上。
近日，苏州大学Rujun Tang，Guifu Zou，南京大学Labao Zhang开发了免蚀刻电子束光刻技术，以在全水工艺中直接写入各种材料的图案，从而在硅晶片上实现所需的半导体纳米图案。
文章要点
1）的糖类在电子束作用下与金属离子配位的聚乙烯亚胺共聚。全水工艺和热处理产生的纳米材料具有令人满意的电子特性，表明多种片上半导体（例如，金属氧化物、硫化物和氮化物）可以通过水溶液系统直接印刷在片上。
2）作为演示，通过 18 nm 的线宽和 3.94 cm2 V−1 s−1 的迁移率实现氧化锌图案。这种无蚀刻电子束光刻策略为微/纳米制造和芯片制造提供了一种有效的替代方案。
参考文献
Xiaohan Wang, et al, ng-Free Electron Beam ithography for On-Chip Nanomaterials, ACS Nano, 2023
DOI: 10.1021/acsnano.2c12387
https://doi.org/10.1021/acsnano.2c12387
