ACS Nano:直写3D纳米结构上的位选择性化学气相沉积
Nanoyu Nanoyu 2023-02-26

增材制造的最新进展使得能够制备特征尺寸小至或低于微米级的自由形状 3D 物体。在制造方法中,聚焦电子束和聚焦离子束诱导沉积(分别为 FEBID 和 FIBID)将 3D 写入的高度灵活性和无与伦比的精度与广泛的材料组合相关联,从而允许金属材料到绝缘材料的生长。自由形状的 3D 纳米书写与成熟的化学气相沉积 (CVD) 技术的结合为合成复杂的 3D 核壳异质结构提供了有吸引力的机会。因此,这种混合方法能够制造形态可调的基于层的纳米结构,具有解锁更多功能的巨大潜力。

在这里,通过使用 3D FEBID 支架制备核-壳异质结构来进行位点选择性 CVD,展示了这种混合方法的基本原理。

文章要点

1具体来说,3D 微桥由 FEBID 使用 (CH3)3CH3C5H4Pt 前驱体打印,并使用 Nb(NMe2)3(N-t-Bu) 和 HFeCo3(CO)12 前驱体通过热 CVD 进行涂层。

2研究人员制备了两个基于 CVD 层的模型系统,包括超导 NbC 基层和铁磁 Co3Fe 层,并在其成分、微观结构和磁传输特性方面对其进行了表征。

 

参考文献

Fabrizio Porrati, et al, Site-Selective Chemical Vapor Deposition on Direct-Write 3D Nanoarchitectures, ACS Nano, 2023

DOI: 10.1021/acsnano.2c10968

https://doi.org/10.1021/acsnano.2c10968


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