JACS: 用铟(I)卤化物和氨基膦合成的InP量子点的窄近红外发射
Nanoyu Nanoyu 2023-03-04

在氯化锌存在下与卤化铟 (III) 反应的非自燃氨基膦已成为胶体磷化铟 (InP) 量子点 (QD) 合成中有前途的磷前体。尽管如此,由于所需的 P/In 比为 4:1,使用这种合成方案制备大尺寸(>5 nm)、近红外吸收/发射 InP QD 仍然具有挑战性。此外,氯化锌的添加导致结构紊乱和浅陷阱态的形成,从而导致光谱展宽。

为了克服这些限制,格勒诺布尔-阿尔卑斯大学Peter Reiss引入了一种依赖于使用卤化铟 (I) 的合成方法,卤化铟既是铟源又是氨基膦的还原剂。

文章要点

1开发的无锌单次注入方法可以获得边长>10 nm 和窄尺寸分布的四面体 InP QD。通过改变卤化铟(InI、InBr、InCl),第一个激子峰可在 450 到 700 nm 之间调谐。

2使用磷 NMR 的动力学研究揭示了两种反应途径的共存,即通过 In(I) 和通过氧化还原歧化还原转氨氨基膦。在室温下用原位产生的氢氟酸 (HF) 蚀刻所获得的 InP QD 的表面会导致强烈的光致发光 (PL) 发射,量子产率接近 80%。

3InP 核 QD 的表面钝化是通过使用单分子前体二乙基二硫代氨基甲酸锌的低温(140°C)ZnS壳来实现的。获得的InP/ZnS核/壳QD在 507-728 nm 范围内发射,表现出小的Stokes位移 (110-120 meV) 和窄PL线宽(728 nm 时为 112 meV)。

 

参考文献

Ranjana Yadav, et al, Narrow Near-Infrared Emission from InP QDs Synthesized with Indium(I) Halides and Aminophosphine, J. Am. Chem. Soc., 2023

DOI: 10.1021/jacs.2c13834

https://doi.org/10.1021/jacs.2c13834


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