磷化铟(InP)量子点使发光二极管(LED)成为可能，这些二极管不含重金属、发射线宽窄且物理柔韧。然而，高性能红色InP/ZnSe/ZnS LED中的电子传输层(ETL)ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在InP上时会淬灭发光，并导致性能下降，这是由于陷阱迁移引起ETL到InP发射层。

近日，多伦多大学Edward H. Sargent研究了 InP/ZnSe/ZnS 核壳量子点中的陷阱态，并确定了 ZnS 壳的作用，其中形成Zn2+空位并且S−迁移到ETL层。

文章要点

1）研究发现这会加速 PL 猝灭，导致它在光生过程中和施加偏压时变得更加严重。

2）研究假设，如果双功能试剂包含缺电子主链以确保所需的电子迁移率，并与富电子单元结合以与Zn²⁺结合以钝化表面陷阱，则它可以应对这一挑战。使用具有包含三嗪基团（用于电子迁移率）和星形结构（用于弯曲）的主链的分子来实现这一概念，以实现独立氰基的钝化以抑制 InP/ZnSe/ZnS核壳结构中的陷阱。

3）CN与未配位的Zn²⁺表面态的结合可实现钝化并防止S空位迁移和O空位形成。在这项工作中，我们首次在 InP LED中使用ETL实现了局部原位钝化，这在基于有机ETL的红色InP LED中实现了最高的 EQE。

参考文献

Ya-Kun Wang, et al, Bifunctional Electron-Transporting Agent for Red Colloidal Quantum Dot Light-Emitting Diodes, J. Am. Chem. Soc., 2023

DOI: 10.1021/jacs.2c13677

https://doi.org/10.1021/jacs.2c13677