典型的n型共轭聚合物是基于熔合的接受电子的构筑块。

在这里，中科院长春应用化学研究所Jun Liu，Bin Meng报道了一种非稠环策略来设计n型共轭聚合物，即将吸电子的亚胺或氰基引入非稠环聚噻吩环主链的每个噻吩基。

文章要点

1）所得聚合物n-PT1具有低的LUMO/HOMO能级-3.91 eV/-6.22 eV，高的电子迁移率0.39 cm² V^-1 s^-1和高的薄膜结晶度。N掺杂后的n-PT1具有优良的热电性能，其电导率为61.2S cm^-1，功率因数为141.7 µW m⁻¹ K⁻²。这是迄今为止报道的n型共轭聚合物的最高功率因数，这也是聚噻吩衍生物首次用于n型有机热电材料。

2）n-PT1优异的热电性能归功于其对掺杂的优异耐受性。本工作表明，不含稠环的聚噻吩衍生物是一种低成本、高性能的n型共轭聚合物。

参考文献

Sihui Deng, et al, An n-Type Polythiophene Derivative with Excellent Thermoelectric Performance, Angew. Chem. Int. Ed. 2023, e202216049

DOI: 10.1002/anie.202216049

https://doi.org/10.1002/anie.202216049