残余应力和缺陷形成以及随后的非辐射复合引起的晶体变形阻碍了钙钛矿发光二极管 (PeLED) 的进一步优化。用于缺陷钝化的分子添加剂已被广泛研究；然而，大多数具有阻碍电荷注入和传输的绝缘特性。

在此，蔚山国立科学技术院Myoung Hoon Song，高丽大学Han Young Woo通过引入半导体分子添加剂（Fl-OEGA 和 Fl-C8A）开发了高效的绿色发光 PeLED。

文章要点

1）透射电子显微镜显示共轭添加剂主要存在于钙钛矿的晶界，开尔文探针力显微镜证实晶界和钙钛矿晶畴之间接触电势差的变化显着减小。

2）与没有添加剂的薄膜相比，经Fl-OEGA处理的钙钛矿薄膜的残余拉伸应力降低了 13%，离子迁移的活化能增加。与绝缘的2,2'-(乙二氧基)二乙胺 (EDEA)相比，半导体添加剂的引入可防止电荷传输能力显着降低。

3）此外，与具有EDEA的器件相比，具有Fl-OEGA的PeLED的开启电压变化可以忽略不计，并且随着Fl-OEGA的增加，电流密度的降低明显更小。

4）最后，通过将半导体Fl-OEGA作为新型多功能添加剂，3D CsPbBr₃–PeLED显示出 21.3% 的最高外量子效率。

参考文献

Chung Hyeon Jang, et al, Multifunctional Conjugated Molecular Additives for Highly Efficient Perovskite Light-Emitting Diodes, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202210511

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202210511