光电二极管在工业和消费电子产品中无处不在，光电二极管不断涌现的新应用要求不同于传统无机半导体器件的机械和光电性能，这激发了人们对使用有机半导体的极大兴趣，有机半导体提供了大量可用的光电性能，可以被纳入灵活的形状因子几何体中，并有望利用地球丰富的材料进行低成本、低能耗的制造。光电二极管的灵敏度在很大程度上取决于暗电流。然而，有机光电二极管（OPD）的特征是暗电流远高于热激发辐射跃迁的预期。鉴于此，来自英国斯旺西大学物理系的Ardalan Armin等人表明OPD中的暗饱和电流从根本上受到中隙陷阱态的限制。

文章要点：

1) 该研究的这一新见解是由观察到的一大组OPD的暗饱和电流的普遍趋势产生的，并通过敏感的外部量子效率和温度相关的电流测量进行了进一步的证实，基于这一见解，研究还确定了特定探测率的上限；

2) 此外，详细了解任何探测器中噪声的来源对于定义性能限制都至关重要，因此对于材料和设备的选择以及所有应用的设计和优化很关键，这一工作为OPDs确立了这些重要原则。

参考资料：

Sandberg, O.J., Kaiser, C., Zeiske, S. et al. Mid-gap trap state-mediated dark current in organic photodiodes. Nat. Photon. (2023).

10.1038/s41566-023-01173-5

https://doi.org/10.1038/s41566-023-01173-5