Angew: Si,N共掺杂C催化CO2RR+OER
阿Q 阿Q 2018-08-23

受Si掺杂C提升OER性能的报道启发,M. A. Ghausi等人通过牺牲模板+热解的方法制备了Si,N共掺杂的多孔C材料,该材料在同时催化CO2还原生成CO和OER反应中比单掺杂材料电流密度高2个数量级。在光电催化重,其量子产率高达12.5%(以CO2计),其过电势仅为650 mV。

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Muhammad A. Ghausi, Jiafang Xie, Qiaohong Li, Yaobing Wang*, and Liming Dai*, et al. CO Overall Splitting by Bifunctional Metal-Free Electrocatalyst

Angew. Chem. Int. Ed. 10.1002/anie.201807571

http://dx.doi.org/10.1002/anie.201807571

 


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