MoS₂ 纳米带因其可以通过调整其尺寸来定制的特性而引起了越来越多的兴趣。在此，丹麦技术大学Stela Canulescu展示了通过脉冲激光沉积法生长的 MoO₃ 超薄膜与 NaF 在富硫环境中反应形成的 MoS₂ 纳米带和 3D 三角形晶体的生长。

文章要点

1）多层纳米带的长度可达 10 µm，并具有单层边缘，通过横向调制厚度形成单层-多层 MoS₂ 结。由于对称性破缺，纳米带的单层边缘显示出明显的二次谐波，这与中心对称多层结构形成对比，后者不易受二阶非线性过程的影响。

2）研究人员在 MoS₂ 纳米带中观察到明显的拉曼光谱分裂，这是由单层边缘和多层核心的不同贡献引起的。由于内置的局部应变和无序，纳米级成像揭示了与三角形 MoS₂ 单层相比单层边缘的蓝移激子发射。

3）研究人员进一步报告了由单个 MoS₂ 纳米带制成的超灵敏光电探测器，在 532 nm 处的响应率为 8.72×10² A/W，是目前报道的最高单纳米带光电探测器之一。研究发现可以激发具有可调几何形状的 MoS₂ 半导体的设计，以用于高效的光电设备。

参考文献

Ganesh Ghimire, et al, Molybdenum Disulfide Nanoribbons with Enhanced Edge Nonlinear Response and  Photoresponsivity, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202210611

https://doi.org/10.1002/adma.202210611