具有热激子机制和AIE性质的发光材料非常适合用作非掺杂有机发光二极管(OLED)的发光材料，特别是在其基态和单重态激发态表面接近的深度区域，导致形成多个非辐射通道。然而，设计人工结合热激子机制和AIE属性的分子仍然是一项艰巨的任务。

在这项研究中，中科院宁波材料所Ziyi Ge，Wei Li，华南理工大学Shi-Jian Su提出了一种通用的策略来实现具有AIE性质的热激子荧光，方法是通过调制新创建的受体单元的共轭长度来增加第一单重态激发态(S1)，匹配高位三重态(TN)的能级，并通过采用合适的施主部分来提高激子的利用效率。

文章要点

1）这种方法减少了聚集态下的聚集猝灭(ACQ)，产生了概念验证发射极DT-IPD，在685 nm处产生了前所未有的外部量子效率(EQE)为12.2%，CIE坐标为(0.69，0.30)，代表了基于热激子机制的所有深红OLED的最高性能。

这项工作为设计更高效的具有AIE特性的热激子发射体提供了新的见解。

参考文献

Songyu Du, et al, Hot Exciton Mechanism and AIE Effect Boost the Performance of Deep-Red Emitters in Non-doped OLEDs, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202303304.

https://doi.org/10.1002/adma.202303304