二维（2D）半导体过渡金属二硫化物（TMDCs）具有原子级薄厚度、无悬挂键表面、灵活的能带结构和与硅兼容的特性，使它们成为后摩尔时代构建最先进场效应晶体管的最有前途的通道之一。然而，现有的二维半导体TMDCs在电子学的实际应用中存在一些问题，无法满足行业标准，这是因为它们的结晶尺寸较小，并且缺乏有效的方法来调节固有的物理特性。因此，制备和掺杂具有晶圆尺寸的二维半导体TMDCs单晶非常关键。近日，武汉大学Jianping Shi，Hui Li等系统地总结了二维半导体TMDCs多晶和单晶薄膜晶圆生长的最新进展。
本文要点：
1）作者总结了通过基底设计实现二维TMDCs的区域取向控制和单向排列的二维岛屿的无缝拼接。
2）此外，作者还讨论了对二维半导体TMDCs进行准确均匀掺杂的方法以及其对电子器件性能的影响。
3）最后，作者强调了提高TMDCs电子器件性能所面临的主要挑战，并提出了进一步的发展方向。
该综述为二维半导体TMDCs的高性能器件应用提供了系统且深入的总结。
Xiaohui Li, et al. Controlled Synthesis and Accurate Doping of Wafer-Scale Two-Dimensional Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides. Adv. Mater., 2023
DOI: 10.1002/adma.202305115
