AM: 2D VO2(B)的大插层赝电容-突破动力学屏障
Yolerz Yolerz 2018-09-03

      VO2(B)具有两个脱嵌锂过程,在2.5 V vs. Li/Li+的动力学通常是容易的,而在2.1 V处的脱嵌过程,由于大的相互作用能垒和极其缓慢的动力学,仅在高温下可观察到。Husam N. Alshareef课题组证明了2D原子级薄VO2(B)纳米片的合理设计大大降低了相互作用能和Li+扩散阻挡层,使得2.1 V处的脱嵌过程首次成功地在室温下进行。原子级2D VO2(B)薄片中两种不同类型的方形金字塔形位置对于室温下的Li+嵌入都是高度活跃的,可以完全抑制Li+脱嵌过程中的固有相变,此外,原子级薄2D VO2(B)纸电极具有异常高的插层赝电容。

 

Large Intercalation Pseudocapacitance in 2D VO2 (B): Breaking through the Kinetic Barrier[J]. Adv. Mater. 2018, 1803594

DOI: 10.1002/adma.201803594

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201803594

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