BiVO₄光电极受到光催化水氧化领域的广泛关注，但是通常因为BiVO₄需要直接热解合成，导致BiVO₄的本征光催化性能受到显著的阻碍。

有鉴于此，中科院大连化物所章福祥等通过沉积金属有机化合物的方法研究限制BiVO₄性能的关键因素。

主要内容

（1）

研究发现热解蒸发V的过程通常导致显著的晶相不纯，形成的少量四方相显著阻碍光电子的分离性能。当沉积过程时加入合适的过量V前驱分子，能够消除不纯的晶相，因此BiVO₄光电极能够在1.23 V_RHE电压实现4.2 mA cm^-2电流密度的光电流，这个光电流达到目前两步电化学沉积方法制备的光电极性能。

（2）

这种方法能够制备25 cm²的大面积光电极，性能未见明显衰减，因此说明金属-有机分子沉积法制备大面积光电极的优势。本文研究为金属-有机分子沉积法制备大面积BiVO₄光电极提供一种具有前景的方法。

参考文献

Nengcong Yang, Sainan Zhang, Yejun Xiao, Yu Qi, Yunfeng Bao, Peng Xu, Shengye Jin, Fuxiang Zhang, Insight into the Key Restriction of BiVO4 Photoanodes Prepared by Pyrolysis Method for Scalable Preparation, Angew. Chem. Int. Ed. 2023

DOI: 10.1002/anie.202308729

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202308729