原子级精密对准是下一代纳米电子学制造的瓶颈。

在这项研究中，华中科技大学Rong Chen，Kun Cao引入了氧化还原耦合固有选择性原子层沉积（ALD）来应对这一挑战。

文章要点

1）“还原-吸附-氧化”ALD循环的设计增加了原位还原步骤，有效抑制铜上的成核。因此，氧化钽在各种氧化物上表现出选择性沉积，而在铜上没有观察到生长。

2）此外，自对准TaO_x成功沉积在Cu/SiO₂纳米图案上，避免了边缘的过度蘑菇生长或Cu区域内出现不需要的成核缺陷。SiO₂上的薄膜厚度超过5nm，选择性为100%，是迄今为止报道的薄膜厚度最高的薄膜之一。

该方法提供了一种简化且高精度的自对准制造技术，有利于未来集成电路的小型化。

参考文献

Li, Y., Qi, Z., Lan, Y. et al. Self-aligned patterning of tantalum oxide on Cu/SiO2 through redox-coupled inherently selective atomic layer deposition. Nat Commun 14, 4493 (2023).

DOI：10.1038/s41467-023-40249-2

https://doi.org/10.1038/s41467-023-40249-2