由于目前MoS₂等二维半导体材料的进展，因此人们得以制备具有优异机械性能的柔性电子学器件。以往在柔性基底上制备MoS₂通常需要在高温条件和刚性基底上进行合成MoS₂，随后将MoS₂从刚性基底转移到制备成器件的柔性基底。这种方法的缺点是通常柔性基底的熔点低于生长MoS₂所需温度，而且MoS₂的转移过程导致MoS₂的电子性能降低。

有鉴于此，延世大学Jong-Hyun Ahn等报道在~150 ℃通过金属有机化学气相沉积法在超薄玻璃基底（~30 μm）上直接制备高品质高晶化度单层MoS₂。

主要内容

（1）

这种金属有机化学气相沉积法制备过程避免转移MoS₂步骤，因此MoS₂的电子性能得以保持，在构筑的柔性场效应晶体管器件中，实现了9.1 cm² V s^-1的迁移率，正阈值电压达到+5 V，因此能够降低器件的功耗。

（2）

本文工作在聚对二甲苯和聚酰亚胺上或者UTG基底上直接生长高品质的MoS₂，生长温度仅为150 ℃，是目前报道中最低的生长温度。制备得到4英尺单层MoS₂具有优异的光学性质和高晶化度，XPS表征说明低温生长过程得到的单层MoS₂具有非常好的化学计量比，比高温生长MoS₂具有更少的S缺陷。同时这种低温生长过程避免了MoS₂的转移过程，能够保证MoS₂的品质。

参考文献

Anh Tuan Hoang, Luhing Hu, Beom Jin Kim, Tran Thi Ngoc Van, Kyeong Dae Park, Yeonsu Jeong, Kihyun Lee, Seunghyeon Ji, Juyeong Hong, Ajit Kumar Katiyar, Bonggeun Shong, Kwanpyo Kim, Seongil Im, Woon Jin Chung & Jong-Hyun Ahn, Low-temperature growth of MoS₂ on polymer and thin glass substrates for flexible electronics, Nature Nanotechnology (2023)

DOI: 10.1038/s41467-023-40160-w

https://www.nature.com/articles/s41565-023-01460-w