低维异质结构在信息，传感和能源相关技术中具有潜在的应用，段镶锋和潘安练团队开发了一种简单有效的源材料蒸气压切换的CVD法，以获得低维硫族化合物半导体纳米结构。通过有效的生长策略在三种不同的结构系统（纳米线、纳米带和2D原子晶体）对硫族化合物实现精确的成分调制，以构建单纳米和异质结构。硫族化合物异质结构的生长控制：横向外延与垂直叠加。此方法可产生大量的异质结构，不仅表现出化学成分的梯度分布，还表现出清晰的界面，可通过实时成分控制实现硫族化合物异质结构的尖锐界面组成分布。对于每个结构系统，基于所得材料，对其纳米结构在纳米电子和光电子器件中的新应用进行了讨论。

Composition modulation in one-dimensional and two-dimensional chalcogenide semiconductor nanostructures[J], Chem. Soc. Rev., 2018

DOI: 10.1039/C8CS00418H

http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2018/cs/c8cs00418h#!divAbstract