近年来，对原子薄过渡金属二硫族化合物（TMDs）中的边缘构型和结构进行操纵以实现多功能化引起了人们的极大兴趣。化学气相沉积（CVD）方法已显示出对原子边缘配置以及各种边缘形态的TMD边缘工程的前景。这些富含边缘的TMD层为探测物理和化学性质以及探索电子、光电子、催化、传感和量子技术。鉴于此，来自新加坡国立大学物理系的Kuan Eng Johnson Goh等人在这篇综述中，对目前使用CVD操纵TMD原子边缘和富边缘结构的最新技术进行了概述。

文章要点：

1) 该文章系统概述了最新技术进展，并强调了与这些边缘配置和结构相关的各种不同性质，且深入阐述了这种边缘功能化晶体所提供的机会；

2) 此外，文中提到，这份综述的主要目的就是未来激励进一步的研究和开发工作，将CVD作为一种可扩展的方法来利用这种晶体边缘工程的优势。

参考资料：

Kuan, Goh. et al. Toward Edge Engineering of Two-Dimensional Layered Transition-Metal Dichalcogenides by Chemical Vapor Deposition. ACS Nano (2023).

10.1021/acsnano.3c04581

https://doi.org/10.1021/acsnano.3c04581