光电极进行NAD+转化为NADH辅酶是使用太阳能用于活化氧化还原生物催化剂和酶催化合成的方法。但是许多光电极面临着非常低的光电压，导致需要较高的偏压用于制备NADH。

有鉴于此，加州大学伯克利分校杨培东等报道一种较高光电压（435 mV）的n⁺p Si纳米线（n⁺p-SiNW）光电极用于光催化制备NADH。

主要内容

（1）

光电极的n⁺p界面具有增强的能带弯折，因此实现非常高的光电压，因此在光电催化制备NADH的反应中表现较好的起始电势（0.393 V_RHE）。

（2）

在过电势为0.2 V_RHE时，n⁺p-SiNW光电极的法拉第效率达到84.7 %，产率达到1.63 μmol h^-1 cm^-1，法拉第效率和产率分别达到相同过电势条件p-SiNW光催化的12.1倍和1.86倍，性能是目前各种SiNW敏化制备辅酶达到最大产量所需过电势最低的材料。

参考文献

Elizabeth Lineberry, Jinhyun Kim, Jimin Kim, Inwhan Roh, Jia-An Lin, and Peidong Yang*, High-Photovoltage Silicon Nanowire for Biological Cofactor Production, J. Am. Chem. Soc. 2023

DOI: 10.1021/jacs.3c06243

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c06243