高质量石墨烯基范德华超晶格对于研究物理特性和开发功能器件至关重要。然而，实现具有受控扭转角的均匀晶圆级石墨烯基超晶格具有挑战性。

在这里，南京大学Libo Gao提出了一种用于制造晶圆级石墨烯和石墨烯基超晶格的平面到平面转移方法。

文章要点

1）通过具有最佳润湿角的两步旋转辅助脱水程序去除石墨烯和基底之间的水溶液。

2）质子辅助处理进一步用于清洁石墨烯表面和界面，这也可以解耦石墨烯并中和掺杂水平。

3）通过晶圆平面调整宏观堆叠角度，可以精确控制不同层之间的扭曲角度。转移薄膜在晶圆尺度上表现出最小的缺陷、均匀的形态和均匀的电性能。即使在室温下，在厘米级线宽的石墨烯薄膜中也可以观察到强大的量子霍尔效应。

这种堆叠转移方法可以促进基于石墨烯的范德华超晶格的制造并加速功能器件的应用。

参考文献

Yuan, G., Liu, W., Huang, X. et al. Stacking transfer of wafer-scale graphene-based van der Waals superlattices. Nat Commun 14, 5457 (2023).

DOI：10.1038/s41467-023-41296-5

https://doi.org/10.1038/s41467-023-41296-5