对于甲脒三碘化锡（FASnI3），伴随着SnF2添加剂的引入其光电性质慢慢被揭开。在富锡体系中，单分子电荷-载流子复合表现出掺杂剂介导的部分。在密度为1020 cm-3的空穴密度下，在5 K时未掺杂FASnI3的带隙为1.2 eV，在室温时为1.35 eV。在非常高的掺杂密度（1020 cm-3），温度依赖性测量表明有效的载流子迁移率通过电离掺杂剂的散射来抑制。当背景空穴浓度接近1019 cm-3以下，载流子迁移率根据≈T-1.2随着温度的降低而增加，表明其主要受到与晶格振动的内在相互作用的限制。
Milot, R. L. et al. The Effects of Doping Density and Temperature on the Optoelectronic Properties of Formamidinium Tin Triiodide Thin Films. Adv. Mater.
Doi:10.1002/adma.201804506.
https://doi.org/10.1002/adma.201804506.
