范德华电介质是凝聚态物理和先进电子应用的基础材料。大多数电介质具有晶体或非晶形式的各向同性结构，并且只有少数研究考虑了电介质中各向异性晶体对称性的作用，作为调节沟道材料电子性能的微妙方法。

在这里，南京大学Hongtao Yuan，北京航空航天大学Peizhe Tang，东京大学Toshiya Ideue展示了一种层状各向异性电介质SiP₂，它具有非对称双旋转C₂对称性作为栅极介质，可以打破MoS₂原始的三重旋转C₃对称性，从而在SiP₂/MoS₂上实现意想不到的线偏振光致发光和各向异性二次谐波产生接口。

文章要点

1）与原始MoS₂的各向同性行为相反，在SiP₂门控MoS₂晶体管中可以实现并调制各向异性指数高达1000的大电导各向异性。

2）理论计算表明，此类界面处的各向异性莫尔势是造成巨大各向异性电导和光学响应的原因。

研究结果提供了一种通过对称工程在介电/半导体界面生成奇异功能的策略。

参考文献

Li, Z., Huang, J., Zhou, L. et al. An anisotropic van der Waals dielectric for symmetry engineering in functionalized heterointerfaces. Nat Commun 14, 5568 (2023).

https://doi.org/10.1038/s41467-023-41295-6