纳米人-Angew.：N杂卡宾Ag基配合物制备低阻Ag薄膜

Angew.：N杂卡宾Ag基配合物制备低阻Ag薄膜

ivvi ivvi 2018-09-27

Nils Boysen等成功制备出无卤素和有机膦保护的N杂卡宾Ag基配合物，并将其作为前驱体，利用等离子体增强大气压力原子层沉积法制备低阻Ag薄膜。该Ag薄膜具有超高的导电性，电阻率为10^-5 Ωcm。该工作为制备高导电性Ag薄膜器件提供了新的思路。

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Nils Boysen, Thomas Riedl*, Anjana Devi*, et al. A new N‐heterocyclic carbene‐based silver precursor and its validation in atmospheric pressure plasma enhanced spatial atomic layer deposition of silver thin films[J]. Angew. Chem. Int. Ed. 2018

DOI: 10.1002/anie.201808586

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