InAs半导体纳米晶体(NC)表现出适合下一代电子设备的有趣的电/光电特性。尽管此类器件中需要n型和p型半导体，但InAs NC通常仅表现出n型特性。

在这里，西江大学Moon Sung Kang，成均馆大学Sohee Jeong，Ji-Sang Park报告了具有受控半导体极性的InAs NC。

文章要点

1）p型和n型InAs NC都可以由相同的氯化铟和氨基胂前体获得，但通过使用两种不同的还原剂，分别用于p型的二乙基锌和用于n型NC的二异丁基氢化铝。这是在InAs NC和整个半导体纳米晶体系统合成水平上实现半导体极性控制的第一个实例。

2）相应的NC薄膜获得了相当的空穴(3.3×10⁻³ cm²/V·s)和电子(3.9×10⁻³ cm²/V·s)场有效迁移率。迁移率值允许成功制造互补逻辑电路，包括包含基于InAs NC的光图案化p通道和n通道的NOT、NOR和NAND。

参考文献

Jong Il Yoon, et al, P- and N-type InAs nanocrystals with innately controlled semiconductor polarity, Sci. Adv. 9 (45), eadj8276.

DOI: 10.1126/sciadv.adj8276

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adj8276