化学插入V2O5的性能主要取决于层间距，其与水合金属离子的半径有关，可通过使用不同的插层金属进行调节。Husam N. Alshareef课题组将层状Mg插层V₂O₅作为水性ZIB的正极材料，合成了多孔Mg_0.34V₂O₅·0.84H₂O（MVO）纳米带。水合Mg²⁺的大半径（~3.3A，与Li⁺的3.8Å相比）导致层间距大至13.4Å（Li⁺插入V2O5的为11.07Å），这允许有效的Zn²⁺嵌入脱嵌。最终多孔MVO纳米带在(vs.Zn²⁺/Zn)0.1-1.8V的宽电位窗口中工作，在电流密度分别为100和1000 mA g^-1时可以提供353和264 mA h g^-1的高容量。可逆的Zn²⁺嵌入反应机理通过多种表征方法得到证实。

Layered MgxV2O5·nH2O as Cathode Material for High Performance Aqueous Zinc Ion Batteries[J], ACS Energy Letters, 2018.

DOI: 10.1021/acsenergylett.8b01423

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsenergylett.8b01423