降低硅基晶体管的尺寸能够降低功耗，提高处理速度，提高计算容量，但是通常降低硅基晶体管产生短沟道效应（short-channel effects）。由于二维半导体具有超薄和高介电常数的优点，因此有助于解决短沟道效应。但是，因为缺少具有原子光滑的表面并且没有悬空键的高介电常数二维材料，阻碍二维电子学器件的发展。

有鉴于此，武汉大学付磊、曾梦琪、南京大学缪峰等通过精确控制生长动力学，合成厚度超薄的LaOCl vdW材料，表现高达10.8的优异介电常数，而且击穿电场的强度达到10 MV/cm。

本文要点：

（1）

与传统的MoS₂场效应晶体管相比，LaOCl场效应晶体管的回滞几乎可忽略。这是因为LaOCl与MoS₂之间能够形成非常好的界面。这项工作有助于进一步发展稀土氧氯化物和能够突破Moore规律的纳米电子器件。

参考文献

Linyang Li, Weiqi Dang, Xiaofei Zhu, Haihui Lan, Yiran Ding, Zhu-An Li, Luyang Wang, Yuekun Yang, Lei Fu, Feng Miao, Mengqi Zeng, Ultrathin Van Der Waals Lanthanum Oxychloride Dielectric for Two-Dimensional Field-Effect Transistors, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202309296

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202309296