光致卤素偏析目前限制了高带隙的钙钛矿半导体在串联太阳能电池的应用。Michael D. McGehee课题组研究表面修饰对MAPbI2Br的光致卤素偏析的影响。通过用给电子配体，三辛基氧化膦（TOPO）涂覆在钙钛矿表面，能够大大减缓MAPbI2Br薄膜的卤素分离，并减少非辐射复合。与卤素分离速率的观察相结合，研究结果证实了表面修饰和光诱导陷阱之间的直接联系。基于这些观察，最后讨论了光诱导卤素分离的可能机制。
Belisle, R. A. et al. Impact of Surfaces on Photo-induced Halide-segregation in Mixed-halide Perovskites. ACS Energy Lett.
Doi:10.1021/acsenergylett.8b01562.
https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.8b03084
