H. Lu等人通过光谱研究发现，在PbSe QDs中通过后处理掺杂In³⁺后，其带间第一激发过程会表现出类似于离域电子的性质，并且其费米能级逐渐向导带偏移。进一步与二茂钴还原处理的PbSe QDs对比发现二者具有相似的性质，即In掺杂使得PbSe QDs表现出n型半导体性质。此外，掺杂的In还可以逆向溶出，从而可以可控地实现PbSe QDs性质的调控。

Haipeng Lu, Matthew C. Beard*, et al. n-Type PbSe Quantum Dots via Post-Synthetic Indium Doping

J. Am. Chem. Soc., DOI: 10.1021/jacs.8b07910

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b07910