要获得晶态或取向的无机功能薄膜，通常需要较高的合成温度和特定的生长衬底，这对它们在传统柔性衬底上大规模、低成本(光电)电子应用中的应用构成了巨大的挑战。

在这里，香港城市大学Johnny C. Ho，You Meng，Chun-Yuen Wong探索了一种在多个聚合物衬底上制备热电金属硫化物(如Bi₂Se₃、SnSe₂和Bi₂Te₃)薄膜的脉冲辐照合成方法。

文章要点

1）自蔓延燃烧过程使PIS的合成温度低至150 °C，超快反应在一秒内完成。

2）除了光电热电(PTE)特性外，还研究了聚合物衬底和Se酸铋薄膜之间的热耦合，以提高PTE性能，在1550 nm处获得了71.9V/W的响应率和小于50ms的响应时间，超过了大多数同类器件。

该PIS平台为以节能、省时和低成本的方式实现灵活的PTE或热电设备提供了一条很有前途的途径。

参考文献

Zhang, Y., Meng, Y., Wang, L. et al. Pulse irradiation synthesis of metal chalcogenides on flexible substrates for enhanced photothermoelectric performance. Nat Commun 15, 728 (2024).

https://doi.org/10.1038/s41467-024-44970-4