为提升热电材料中的载流子密度，大多数研究集中在不等价掺杂这一策略，除此之外，缺陷工程同样可以作为一种潜在的高效策略。X. Zhang等人以具有较小阳/阴离子比的Sb₂Te₃作为“溶质”，通过与GeTe形成固溶体来操控其中缺陷。形成固溶体过程中，3份Ge²⁺被2份Sb³⁺取代后会形成1份Ge空缺，这一过程同时促进了Ge沉积物在整体中的分散。所得到的具有高密度点缺陷的材料提升了声子散射能力并使得晶格热导率降低到了无序结构的极限值，从而大幅提升了热电性能。

Xinyue Zhang, Juan Li, Yanzhong Pei*, et al. Vacancy Manipulation for Thermoelectric Enhancements in GeTe Alloys

J. Am. Chem. Soc., DOI: 10.1021/jacs.8b09375

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b09375