人们发现InP/ZnSe/ZnS量子点是具有前景的能够用于有机QLED器件，但是InP/ZnSe/ZnS量子点通常表现非常低的发光效率，这可能是因为量子点容易发生氧化导致。

有鉴于此，首尔大学Jungwon Park、三星公司Young-Gil Park等使用高分辨率的扫描透射电子显微镜表征技术研究量子点的各种不同缺陷结构在UV光照射条件量子点氧化过程缺陷的演变情况。

本文要点

（1）

UV光照射导致量子点的壳氧化导致形貌变化，同时ZnSe表面无法很好的钝化。在随后的进一步氧化过程中，量子点能够生成位错（dislocations）结构缺陷，而且在氧化物-量子点的界面形成应力，促进In从量子点的核向表面扩散。这些变化过程导致荧光淬灭。

（2）

这项研究展示说明光照导致形成结构缺陷位点的机理和过程，并且说明缺陷的生成对量子点的发光性质的影响。

参考文献

Baek, H., Kang, S., Heo, J. et al. Insights into structural defect formation in individual InP/ZnSe/ZnS quantum dots under UV oxidation. Nat Commun 15, 1671 (2024)

DOI: 10.1038/s41467-024-45944-2

https://www.nature.com/articles/s41467-024-45944-2