文献中已报道的多种类型的半导体/石墨烯复合光电探测材料常常只能在可见光和近红外区有响应，且响应不高。X. Yu等人使用了一种具有较低禁带宽度的Ti2O3 半导体(Eg = 0.09 eV)，可以实现中红外区光电检测，其检测范围横跨10 μm，且其响应值高达300 A/W，比现有商业检测中红外光电材料响应值高2个数量级。
Xuechao Yu, Tom Wu*, Qi Jie Wang*, et al. Narrow bandgap oxide nanoparticles coupled with graphene for high performance mid-infrared photodetection
Nature Communications, DOI: 10.1038/s41467-018-06776-z
https://www.nature.com/articles/s41467-018-06776-z
