石墨烯和黑磷等二维层状元素半导体拥有诸多独特的物理化学性质，被广泛应用于纳米电子器件领域。中科院半导体所魏钟鸣研究员团队以天然黑砷矿为原料制备出单层和少层黑砷，并研究了其独特的载流子输运性能。研究发现其场效应晶体管的性能与晶体的厚度密切相关，与其他材料相比，黑砷拥有更高的载流子迁移速率及稳定性。

Mianzeng Zhong, Qinglin Xia, Zhongming Wei*, et al. Thickness‐Dependent Carrier Transport Characteristics of a New 2D Elemental Semiconductor: Black Arsenic[J]. Adv. Funct. Mater., 2018

Doi：10.1002/adfm.201802581

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