虽然微米级2D异质结构的薄片可以用胶带剥离形成，但分离成单层非常耗时，2D材料上的高成核势垒，直接控制生长层数也困难。鉴于此，研究人员报道了一种层分辨2D材料分裂技术，二维材料的单层可以从生长的5厘米直径晶圆的多层中切割下来。多层盖有镍层，可用于拉出整个生长的叠层。堆叠的底部再次用镍覆盖，第二轮切割使单层留在底部镍层上。该技术能够高量生产多个单层晶圆级2D材料，单层膜可以转移到其他表面。通过光致发光响应和电子传导性证实了六方氮化硼h-BN，WS2，WSe2，MoS2和MoSe2单层晶片均匀性。研究人员还制备了具有单原子厚度分辨率的晶圆级范德瓦尔斯异质结构，包括具有高电荷载流子迁移率的场效应晶体管。
Jaewoo Shim, Sang-Hoon Bae, Wei Kong, Doyoon Lee, Kuan Qiao, Daniel Nezich, Yong Ju Park, Ruike Zhao, Suresh Sundaram, Xin Li, Hanwool Yeon, Chanyeol Choi, Hyun Kum, Ruoyu Yue, Guanyu Zhou, Yunbo Ou, Kyusang Lee, Jagadeesh Moodera, Xuanhe Zhao, Jong-Hyun Ahn, Christopher Hinkle, Abdallah Ougazzaden, Jeehwan Kim, Controlled crack propagation for atomic precision handling of wafer-scale two-dimensional materials[J], Science, 2018.
DOI: 10.1126/science.aat8126
