Nam-Gyu Park课题组报道了一种新方法，用于低温下FAPbI₃的快速相变，并有效去除MAPbI₃中的界面复合。该方法适应于印刷（图案化）钙钛矿。通过在65℃和100℃下分别制备MAPbI₃和δ相FAPbI₃膜，然后将两片薄膜无压力夹在中间，称为双面冲压，在100℃下退火9分钟，保证FAPbI₃完全δ→α相变，器件的效率为18.34％。冲压的MAPbI₃器件效率高达20.18％，远高于常规退火的MAPbI₃（~17.4％），DMSO介导的离子交换在FAPbI₃的相变和MAPbI₃的表面修饰中起着至关重要的作用。冲压应用于EAPbI₃ （EA =乙基铵），其中光活性黄色EAPbI₃在用MAPbI₃冲压后变为光活性EAPbI₃，PCE为13.02％。通过钙钛矿加合物膜中的路易斯碱（例如DMSO）促进双面冲压工艺中的离子传输。

Zhang, Y., Kim, S.-G., Lee, D., Shin, H. & Park, N.-G. Bi-facial Stamping for High Efficiency Perovskite Solar Cells. Energy Environ. Sci.

Doi:10.1039/C8EE02730G.

http://dx.doi.org/10.1039/C8EE02730G