德国拜罗伊特大学Sven Huettner和西班牙海梅一世大学Juan Bisquert团队构建了一种动态传递模型，通过偏压控制MAPbI3钙钛矿半导体膜的光致发光性能的on/off，发现局部饱和限制的离子空位的漂移导致尖端（sharp front）的存在，从而诱导产生缺陷，同时会大幅降低薄膜中的辐射复合率。该模型解释了离子诱导的掺杂改变引起的电流的时间依赖性，其随着空位的漂移而改变局部电子和空穴浓度。这些研究结果直接确定碘空位的扩散系数，并为离子效应与杂化钙钛矿材料的电光性质提供详细信息。
Cheng Li, Sven Huettner, Juan Bisquert et al.Unravelling the role of vacancies in lead halide perovskite through electrical switching of photoluminescence. Nature Communications 2018, 9, 5113.
Doi:10.1038/s41467-018-07571-6.
https://www.nature.com/articles/s41467-018-07571-6
