Snaith最新EES:首次准确测定钙钛矿薄膜中的载流子迁移率
坡肉先生 坡肉先生 2018-12-18

评估钙钛矿薄膜的优异光电性能仍然是模棱两可,特别是对于远程横向电荷传输,其中离子传导可能使数据的解释复杂化。Snaith课题组首次展示了一种测量这种材料中远程电荷载流子迁移率的新技术。将准稳态光电导率测量(电探针)与光诱导透射和反射测量(光学探针)相结合,以同时评估电导率和载流子密度。研究表明,由乙腈/甲胺溶剂体系制备的MAPbI3多晶钙钛矿薄膜的横向迁移率为~2 cm2 / Vs。此外,通过不同制造工艺(包括溶液和气相沉积技术)制备的钙钛矿薄膜之间的长程电荷载流子迁移率(2.2至0.2 cm2 / Vs)存在显着差异。该工作首次在光照条件下,实现准确评估钙钛矿多晶薄膜中的远程载流子迁移率,和载流子密度。

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Lim, J. et al. Elucidating the long-range charge carrier mobility in metal halide perovskite thin films. Energy Environ. Sci.

Doi:10.1039/C8EE03395A.

http://dx.doi.org/10.1039/C8EE03395A


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