MoS₂因其储量丰富且可作为电催化剂高效HER而被广泛研究。在MoS₂上创造缺陷或者掺杂其它原子可提高其HER性能，因此研究如何高效的在MoS₂纳米片上创造面内缺陷，同时又掺杂其它原子是至关重要的。有鉴于此，作者发展了一种一步法制备Zn掺杂的MoS₂纳米片（Zn@MoS₂）同时创造出S空穴的方法，并将合成的Zn@MoS₂材料用于HER。实验发现，该材料具有良好的HER性能，电流密度为10 mA cm^-2时，过电位仅-194 mV，Tafel斜率为78 mV/dec。DFT计算表明，Zn的引入不仅减小了S空穴的生成能，同时可以提升临位和次临位的S空穴的HER性能。

Wenzhou Wu, Chunyao Niu, Yu Jia *, Qun Xu *, et al. Activation of MoS₂ Basal Planes for Hydrogen Evolution through Zinc [J]. Angew. Chem. Int. Ed., 2018

DOI: 10.1002/anie.201812475

下载链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.201812475