尽管与常规半导体相比，钙钛矿薄膜具有显着的缺陷耐受性。然而，变异的起源仍然是一个争论的话题，精确的理解对于缺陷管理策略的合理设计至关重要。MIT研究团队研究发现，晶格应变与增强的缺陷浓度和非辐射复合直接相关。应变模式在多个长度尺度上具有复杂的异质性。研究人员提出在薄膜生长和结晶过程中产生应变并为缺陷形成提供驱动力。该工作揭示了卤化钙钛矿中结构缺陷的存在和影响，提出了一条缺陷管理和消除损失的新途径。

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Jones, T. W. et al. Lattice Strain Causes Non-Radiative Losses in Halide Perovskites. Energy Environ. Sci.

Doi:10.1039/C8EE02751J.

http://dx.doi.org/10.1039/C8EE02751J