Bullock等人开发出了低温(≤230℃),TiOx / LiFx / Al电子异质接触,其在低掺杂的n型衬底上实现mΩcm2级的接触电阻率ρc。作为这种异构接触潜力的极端证明,它在新开发的高效n型硅太阳能电池中作为部分后触点(PRC)进行了试验。尽管仅接触后表面积的约1%,但实现了大于23%的效率,为具有未掺杂的PRC的n型硅太阳能电池设定了新的基准。
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Bullock, J., Wan, Y. et al. Dopant-Free Partial Rear Contacts Enabling 23% Silicon Solar Cells. Adv. Energy Mater.
Doi:10.1002/aenm.201803367.
https://doi.org/10.1002/aenm.201803367