电子科技大学的Jie Xiong联合苏州大学的Liang Li课题组提出了一种全新的氧等离子体处理的策略,可以取代传统的电子传输层的复杂制备工艺。在室温下通过仅15分钟的氧等离子体辅助反应且无需后加热处理,即可在氟掺杂的氧化锡(FTO)表面上原位形成的纯SnO2相。它能够精确控制FTO基底表面的成分,缺陷和能带水平,组装的器件效率可达20.39%,具有出色的稳定性和重现性。
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Sun, H., Zhou, Y. et al. Composition and Energy Band–Modified Commercial FTO Substrate for In Situ Formed Highly Efficient Electron Transport Layer in Planar Perovskite Solar Cells. Adv. Funct. Mater. Doi:10.1002/adfm.201808667.
https://doi.org/10.1002/adfm.201808667