南方科技大学的何祝兵课题组通过简单，空气稳定且成本有效的三苯基氧化膦分子实现SnO₂掺杂。研究发现，电子从R₃P⁺-O^-σ-键转移到外围Sn原子而不是和表面上直接相互作用的原子。这意味着那些电子可以离域。研究表明，这种掺杂效应促进SnO₂导电率的提高和功函数的下降，使内建场从0.01增加到0.07 eV，并且在SnO₂ /钙钛矿界面处将能垒从0.55降低到0.39 eV，从而将钙钛矿太阳能电池的效率从19.01％提高到20.69％。

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Tu, B. et al. Novel Molecular Doping Mechanism for n-Doping of SnO₂ via Triphenylphosphine Oxide and Its Effect on Perovskite Solar Cells. Adv. Mater.  

Doi:10.1002/adma.201805944.

https://doi.org/10.1002/adma.201805944