近日，华中科技大学Ling Xu及Bin Hu深入研究了铋掺杂MAPbI₃多晶薄膜的热电特性。研究发现，Bi掺杂可以大幅提高MAPbI₃的稳定性和热电性能。Bi位于晶界处以修饰晶界附近的载流子通道，有效减少了离子迁移和促进电荷传输。此外，Bi掺杂可以钝化钙钛矿缺陷，增加MAPbI₃的极化效应，从而大大提高了MAPbI₃的载流子迁移率。Bi掺杂还可以诱导形成小晶粒MAPbI₃钙钛矿，小晶粒尺寸的钙钛矿不但可以阻止相变的发生，还能有效提高钙钛矿结构的稳定性。Bi掺杂的钙钛矿塞贝克电压变化小于未掺杂钙钛矿，也意味着Bi掺杂MAPbI₃薄膜更稳定。该研究表明，Bi掺杂有机-无机杂化钙钛矿材料是一种有效的策略实现稳定的热电和光伏性能。

Xiong, Y. et al. Bismuth Doping-Induced Stable Seebeck Effect Based on MAPbI₃ Polycrystalline Thin Films. Adv. Funct. Mater. 2019, 1900615.

文章链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.201900615